2月8日，第八屆國際第三代半導體論壇（IFWS）第十九屆中國國際半導體照明論壇（SSLCHINA）在蘇州盛大開幕。

在這場被視為全球第三代半導體行業風向標的盛會上，大會主席、全國政協教科衛體委員會副主任、科技部原副部長曹健林，中國科學院院士、浙江大學教授楊德仁，中國科學院院士、南昌大學副校長、教授江風益，中國工程院院士、有研科技集團首席科學家黃小衛，中國工程院院士、清華大學教授羅毅，科技部高技術研究發展中心副主任卞曙光，科技部高新司材料處原一級調研員曹學軍，蘇州工業園區管委會副主任王曉榮，廈門大學黨委書記、教授張榮，中國科學院特聘研究員李晉閩，北京大學理學部副主任、教授沈波，江蘇第三代半導體研究院院長、中科院蘇州納米所副所長、研究員徐科，第三代半導體產業技術創新戰略聯盟理事長吳玲等嘉賓領導，來自北京大學、香港科技大學、清華大學、廈門大學、山東大學、浙江大學、南京大學、國家第三代半導體技術創新中心（山西平臺）、中國電子科技集團48所、寬禁帶半導體電力電子器件國家重點實驗室、深圳平湖實驗室、湖北九峰山實驗室、季華實驗室等高校科研院校機構的領導、專家、學者，以及來自蔚來汽車、中微公司、天馬微電子、南砂晶圓、光莆股份、木林森、晶湛半導體等眾多國內外企業的高層領導、技術專家和市場負責人代表參與論壇。還有來自半導體照明及第三代半導體及相關領域的知名專家學者、企業領袖、行業組織領導、投資機構代表超1600人參與論壇。

順應新生態，聚焦新格局

以碳化硅、氮化鎵為代表的第三代半導體材料被稱為綠色半導體，雙碳背景下，產業結構將面臨深刻的低碳轉型挑戰，能源技術將會引領能源產業變革，實現創新驅動發展。大數據、區塊鏈、人工智能等新技術的快速使用，帶動數字經濟的高速發展，使半導體行業朝著高性能、低功耗的目標發展，從而帶動消費電子、醫療電子、電力電子、國防裝備電子的更新換代和產業升級。

在開幕大會上，論壇程序委員會主席、廈門大學黨委書記張榮教授介紹了本次論壇的組織概況并表示，作為開年首場第三代半導體領域極具規模和影響力的核心論壇盛會，過去幾年因為疫情阻隔業界交流受阻，論壇的順利召開非常感謝業界的大力支持，以及大會組委會的付出與貢獻。本屆論壇程序委員會和組委會同心協力，組織了190余個專業報告，共設有近30場次論壇活動。吸引了來自政、產、學、研、用、資等LED及第三代半導體產業領域國內外知名專家、企業高管、科研院所高校學者代表參與本次盛會，在交流中有更多的思想碰撞，對第三代半導體產業發展做出更大的貢獻。

第三代半導體產業技術創新戰略聯盟理事長吳玲致辭中表示，當前不論光電子、微波射頻還是工業半導體都得到了長足的進步，面向未來綠色、低碳、數字等發展趨勢，第三代半導體產業既處于黃金賽道，也面臨很多問題和挑戰，衷心希望論壇期間，業界同仁們可以更加深入的探討產業發展的重要問題和困惑，把握未來趨勢，更好的參與國際競爭，更期待業界同心協力，共同推動第三代半導體技術和產業的健康發展。

本屆論壇移師蘇州開啟了新征程，蘇州工業園區是全國開放程度最高，發展績效最好，創新活力最強，營商環境最優的區域之一。蘇州工業園區管委會副主任王曉榮致辭時表示，早在2006年園區就搶抓市場機遇，積極開展前瞻布局，目前已集聚相關企業60多家，形成了以設備輔材，材料外延為核心，以下游應用為支撐的完整產業鏈。憑借國家第三代半導體技術創新中心吸引了30余位國內外高層次的領軍人才，形成了規模300人的核心科研團隊，在大尺寸的材料制備等領域取得了重大的突破。園區正發揮優勢大力推動創新鏈、產業鏈、資金鏈、人才鏈深度融合發展，全面打造國際一流的第三代半導體產業創新集群，加快堅決開放創新世界一流高科技園區，為第三代半導體技術和產業發展做出更大的貢獻。

大會主席、中國工程院院士、中國工程院原副院長、國家新材料產業發展專家咨詢委員會主任干勇致辭時表示，基于半導體材料的半導體芯片是信息化設備、人工智能、萬物互聯等各個行業不可或缺的支撐和基礎，其發展水平反映一個國家高技術的實力，也是國防能力和國際競爭力的重要標志，對國家的經濟增長和國防安全至關重要。第三代半導體是實現雙碳目標的戰略保障，也是經濟高質量發展的重要支撐。我國第三代半導體器件水平在快速提升。在市場的推動下，中國半導體行業取得了長足進展。江蘇作為長三角國家戰略區域發展的先行和前沿地帶，目前已形成以蘇州等城市為中心的第三代半導體的產業集聚態勢，整體規模位居全國前列。國家第三代半導體技術創新中心、蘇州實驗室經批準相繼落戶，成為江蘇省第三代半導體產業高質量發展的新引擎。

全國政協教科衛體委員會副主任、國際半導體照明聯盟主席曹健林致辭時指出，產業發展需要信心、決心，其中信心最重要的來源是那些成功的道路和成功的歷史經驗，其中，中國特色的科技發展和高新技術產業發展道路是共同認可的典型。正是有一些成功的范例和經驗，使我們盡管面臨艱辛也能大步的走上來。歷史給了我們信心，盡管有困難，我們一定能夠克服困難堅定地走下去。我國具有大市場的優勢，要實現跨越式發展，還需要大家共同努力，腳踏實地，面對困難，提供更多解決方案，以實際行動實現共同發展。

在與會嘉賓的見證下，先進半導體產教融合人才工程啟動，工程將以 《第三代半導體產業人才發展指南》為基石，不斷推進優質資源的產教融合，并且為產業培養和輸送高質量人才，以支撐技術創新和迭代以及產業的生機發展。

此外，2022年國際半導體照明聯盟（ISA）全球半導體照明突出貢獻獎評選揭曉，在支持發展中國家和新型經濟體市場向節能照明電器和設備轉型中做出積極貢獻的聯合國環境署能效聯盟獲此殊榮。

升級視野思路 探索低碳未來

開幕大會主題論壇環節，五大國際重量級報告從不同角度、不同領域分享國際半導體產業新發展、新方向，兼具高屋建瓴的格局分析與前沿趨勢引領，中國科學院特聘研究員、半導體照明聯合創新國家重點實驗室主任李晉閩與浙江大學教授、浙江大學杭州國際科創中心先進半導體研究院院長盛況聯袂主持了大會主題論壇環節。

會上，諾貝爾物理獎獲得者、日本工程院院士、日本名古屋大學未來材料與系統研究所天野浩教授分享了基于氮化鎵和氮化鋁化合物材料追求短波長固態光發射器的主題大會報告，報告結合詳細的研究數據，指出目前正在改變整個半導體技術從雜質控制的導電性到極化控制導電性的轉變。希望有機會提供深遠紅外激光二極管，并基于此建立新的供應鏈。

SiC MOSFET具有高溫工作損耗低、功率密度高等優勢，在新能源汽車、新能源發電、儲能、工業電機、消費電子、軌道交通、高壓輸變電等領域應用前景可觀。中國電子科技集團首席專家、寬禁帶半導體電力電子器件國家重點實驗室主任柏松做了題為SiC功率MOSFET技術及應用進展的主題報告。報告中詳細介紹了低壓碳化硅MOSFET產品研制進展和市場應用情況，以及面向未來應用需求開展高壓碳化硅器件技術開發的最新進展。

柏松指出，新能源汽車、光伏和儲能等中低壓應用推動了碳化硅電力電子產業快速增長。解決高可靠、高電流密度碳化硅MOSFET器件設計、制造、封裝等問題是實現持續增長的關鍵。碳化硅在電網、軌道交通等高壓領域的應用優勢得到初步展示，亟待聯合攻關實現批量工程應用。

在當今的電力電子產品中，質量和可靠性至關重要。當前關注重點主要是在效率、密度和成本上，設計高度定制，方法已達到成熟水平，任何性能屬性的進一步改進，可能都會以犧牲效率、功率密度、成本等為代價。此外，制造過程處于勞動密集型，并在很長時期都維持此種狀態。與硅對應物相比，新一代寬帶隙功率半導體器件（如SiC和GaN）顯著降低了傳導和開關損耗。當前使用寬禁帶半導體材料器件的行業設計實踐主要基于即插即用概念，類似的設計實踐是將開關頻率提高 2-3 倍。以這種方式改進是漸進的，未能實現寬禁帶半導體材料的真正潛力。

美國弗吉尼亞理工大學大學特聘教授、美國工程院院士、美國國家發明家院士、中國工程院外籍院士李澤元（Fred C. Lee）在大會視頻主題報告中分享了在不影響效率的情況下，將開關頻率提高10倍或更多，以及實現系統級異構集成的方法。在這種集成方法中，效率、功率密度、EMI/EMC 的顯著提高同時實現，大多數電力電子產品的制造過程都可以實現自動化，并有望顯著降低成本。這種方法與當前的做法有很大的不同，也將有可能實現變革性的變化。

作為第三代半導體材料的典型代表，在電動汽車領域的應用前景可期，蔚來汽車功率半導體設計團隊負責人、高級總監李道會做了題為寬禁帶半導體助推電動汽車進程的主題報告，結合功率半導體器件在電動汽車中的實際應用，比如換電、驅動等，分享了功率半導體在電動汽車中的應用以及未來更智能的EDS。作為國內電動汽車發展的代表性力量，蔚來正積極推動全球化布局，并且非?？春玫壠骷膽脻摿?。李道會指出，目前在DC等應用方面，氮化鎵驅動是薄弱項，國內半導體企業和驅動芯片設計企業聯手，將更有利于動氮化鎵的應用。

近年來，隨著人們對不同類型的發光器件的深入研究，新型顯示與照明技術得到了相應的發展，這為未來信息顯示與照明的多元化應用奠定了良好的基礎。隨著物聯網、云計算、大數據、人工智能、元宇宙等技術和數字經濟的興起，新型顯示技術不斷迭代，Mini/Micro LED顯示技術正成為新興顯示技術新的一極，為顯示領域注入了新的成長動力。

天馬微電子集團研發中心總經理、Micro-LED研究院院長秦鋒做了題為Micro-LED顯示產業化進展與挑戰的主題報告，報告指出，在高透明度中、在汽車中的應用潛力看好、技術上均勻性和功耗非常重要，要降低Micro-LED功耗，可以優化燈光形狀、提高驅動電流、降低驅動器TFT的功耗。巨量轉移主要還是圍繞著巨量轉移效率，良率等展開。

在為期三天時間里，除了開幕大會、本屆論壇設有碳化硅襯底材料生長與加工、氮化物襯底材料生長與外延技術，功率模塊與電源應用峰會、碳化硅功率電子材料與器件、氮化鎵功率電子材料與器件、固態紫外材料與器件、化合物半導體激光器技術、Mini/Micro LED及其他新型顯示技術、生物農業光照技術與產業應用峰會、射頻電子材料與器件、超寬禁帶及其他新型半導體材料與器件、教育照明與健康光環境、光醫療應用技術、第三代半導體產業人才發展論壇、車用半導體創新合作峰會、第三代半導體標準與檢測研討會等多場論壇活動。聚焦第三代半導體功率電子技術、光電子技術、射頻電子技術的國內外前沿進展、發展戰略與機遇；第三代半導體材料相關技術與新一代信息技術、新能源汽車、新一代通用電源、高端裝備等產業的相互促進與深度融合；產業鏈、供應鏈多元化與核心技術攻關等主題領域。

除了重磅精彩的大會和主題分會30余場次活動之外，論壇還設置了豐富的同期活動，并隨著行業企業需求的發展變化不斷調整完善，包括先進半導體技術應用創新展（CASTAS）、ISA全球突出貢獻獎頒獎/POSTER優秀論文頒獎、商務考察、聯盟成員/工作會議等等，為行業企業提供全方位的交流合作方式與平臺。其中，先進半導體技術應用創新展吸引力近90家知名企業參與，幾乎全面涵蓋了第三代半導體產業鏈各個環節，參展企業展位交流互動人氣爆棚，反響熱烈。

作為首屈一指的經典行業盛會，秉持與時偕行的精神，守望產業的發展壯大。本屆論壇是在國家科學技術部高新技術司、國家科學技術部國際合作司、國家工業與信息化部原材料工業司、 國家節能中心、國家新材料產業發展專家咨詢委員會、江蘇省科學技術廳、蘇州市科學技術局、蘇州工業園區管理委員會的大力支持下，由第三代半導體產業技術創新戰略聯盟（CASA）、中關村半導體照明工程研發及產業聯盟（CSA）、國家第三代半導體技術創新中心（蘇州）聯合主辦。江蘇第三代半導體研究院、蘇州市第三代半導體產業創新中心、蘇州納米科技發展有限公司、中國科學院蘇州納米技術與納米仿生研究所等單位共同承辦。論壇得到了來自國內以及美國、日本、德國、瑞典、英國、意大利、波蘭、澳大利亞、新加坡等國家和地區近70家組織機構。歷經近20年的成長蛻變，論壇已成為國內第三代半導體產業最堅定的支持和推動力量，并將持續升級，凝聚更多先進力量，為產業發展保駕護航。