近日，有消息稱，臺積電將于2024年取得阿斯麥爾下世代最新的極紫外光微影設(shè)備，為客戶發(fā)展相關(guān)的基礎(chǔ)設(shè)施與架構(gòu)解決方案。

前不久，才有業(yè)內(nèi)人士表示臺積電或?qū)⒃?月份正式量產(chǎn)3nm工藝，預(yù)計(jì)于第三季下旬投片量將會有一個(gè)大幅度的拉升，而第四季度的投片量會達(dá)到上千的水準(zhǔn)并且正式進(jìn)入量產(chǎn)階段。

同時(shí)，臺媒也在最近報(bào)道稱，臺積電可能在2025年正式推出2nm制程，同時(shí)市場方面也普遍看好臺積電的2nm制程工藝全面領(lǐng)先三星以及英特爾。目前，臺積電2nm晶圓廠將座落于竹科寶山二期擴(kuò)建計(jì)畫用地中，竹科管理局已展開公共設(shè)施建設(shè)，臺積電也已經(jīng)開始整地作業(yè)。

據(jù)資料顯示，臺積電2nm制程將采用GAAFET架構(gòu)，相比臺積電3nm，在相同功耗下速度快10%至15%，在相同速度下功耗降低25%至30%，應(yīng)用包含移動(dòng)計(jì)算、高性能計(jì)算及完備的小芯片整合解決方案。

臺積電業(yè)務(wù)開發(fā)副總裁之前曾經(jīng)表示，取得設(shè)備后，初期主要用于與合作伙伴共同研究。從之前公布的信息來看，極紫外光光刻設(shè)備的單價(jià)估計(jì)為4億美元，約合人民幣28億元人民幣，是目前現(xiàn)有EUV光刻設(shè)備的兩到三倍。

臺積電的競爭對手三星就傳出消息將要購買這臺設(shè)備，三星電子副董事長李在镕此前與ASML公司就引進(jìn)該荷蘭半導(dǎo)體設(shè)備制造商的下一代極紫外光光刻設(shè)備進(jìn)行了會談，并就引進(jìn)今年生產(chǎn)的EUV光刻設(shè)備和計(jì)劃于明年推出的高數(shù)值孔徑(High-NA)EUV光刻設(shè)備達(dá)成了協(xié)議。

英特爾同樣宣布已簽署合同購買5臺這種設(shè)備，用于在2025年生產(chǎn)1.8納米芯片。臺積電也在6月16日的美國硅谷技術(shù)研討會上表示，它將在2024年在全球首次將High-NAEUV光刻設(shè)備引入其工藝。

據(jù)悉，這款新型EUV系統(tǒng)可實(shí)現(xiàn)0.55數(shù)值孔徑，與此前配備0.33數(shù)值孔徑透鏡的EUV系統(tǒng)相比，精度會有所提高，可以實(shí)現(xiàn)更高分辨率的圖案化。目前ASML每臺機(jī)器的成本高達(dá)1.6億美元，同時(shí)這種機(jī)器將比現(xiàn)有機(jī)器大30%，而之前的機(jī)器就已經(jīng)大到難以想象，甚至需要三架波音747來裝載它們。

臺積電總裁魏哲家此前在技術(shù)論壇中強(qiáng)調(diào)，臺積電2nm將會是密度最優(yōu)、效能最好的技術(shù)。市場也看好，臺積電2nm進(jìn)度將領(lǐng)先對手三星及英特爾。可以看出，這次臺積電在2nm的研發(fā)上是比較有信心的，作為半導(dǎo)體行業(yè)的領(lǐng)頭羊，臺積電在2nm工藝上的動(dòng)態(tài)會受到外界的絕對關(guān)注，這也意味著這項(xiàng)工藝對于臺積電來說意義重大。

只要2024年這臺光刻機(jī)一到位，臺積電就將做好風(fēng)險(xiǎn)生產(chǎn)的準(zhǔn)備，并在2025年末進(jìn)入大批量生產(chǎn)，理想情況下客戶可以在2026年收到基于2nm工藝打造的芯片。